MPCVD單晶金剛石生長機(jī)器設(shè)備

微波等離子體化學(xué)氣相沉積 (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition )是高效、高質(zhì)量制備金剛石的首選方法，打破了設(shè)備對襯底尺寸的限制，為大面積單晶金剛石生長提供條件。

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn)漏孔 | MPCVD | 電容薄膜規(guī)真空計(jì) | 高低真空校準(zhǔn)裝置 | 氦漏孔校準(zhǔn)裝置

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產(chǎn)品詳情

微波等離子體化學(xué)氣相沉積

Microwave Plasma CVD system

MPCVD單晶金剛石生長技術(shù)一般采用金屬腔體，由于其微波能量無污染、氣體原料純凈、沒有催化劑和雜質(zhì)的摻入等優(yōu)勢，使得金剛石的質(zhì)量得到改善，成為高品質(zhì)單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一，大大拓展了金剛石材料在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

設(shè)備特點(diǎn)

• 全自動工控界面、支持遠(yuǎn)程操控.

• 一鍵式開關(guān)機(jī)，實(shí)現(xiàn)無人值守.

• 自動非接觸式遠(yuǎn)紅外測溫.

• 選用進(jìn)口微波器、水路全監(jiān)測.

• 可選用無油真空泵加分子泵.

• 使用高精度氣體質(zhì)量流量計(jì)，高可靠性穩(wěn)定的壓力控制系統(tǒng).

• 反應(yīng)可控，能長時(shí)間穩(wěn)定工作在6KW

• 高功率高密度等離子體穩(wěn)定在離石英窗一定位置，減少硅的污染

應(yīng)用

• 高效導(dǎo)熱材料.

• 新型半導(dǎo)體材料.

• 新型刀具、模具、磨料.

• 人工培育鉆石.

• 光學(xué)鏡片

• 量子傳感器/NV色心量子器件

• 納米金剛石材料

• 第四代半導(dǎo)體材料

項(xiàng)目名稱	標(biāo)準(zhǔn)配置	選裝配置
微波源	SAIRREM/MUEGGE
高溫計(jì)	SA-D30160A	Williamson
抽空設(shè)備	DRV-16	DRV-16+FF150
極限真空	≤5E-1Pa	≤5E-5Pa
輸入氣體	4路標(biāo)準(zhǔn)生長氣體	可定制多路混合及摻雜氣體
工作臺尺寸	60mm
壓力控制范圍	500~50000 Pa
工控界面	工控機(jī)全自動控制帶遠(yuǎn)程操作監(jiān)測
設(shè)備整體漏率	優(yōu)于1E-12Pa·m3/s
設(shè)備尺寸	15008501700
設(shè)備重量	500kg